Samsung apresentou na Computex 2026, em Taipei, o primeiro modelo f\u00edsico de HBM5, com a tecnologia Heat Path Block (HPB) para reduzir o calor na interface D2D entre mem\u00f3ria e processador. A iniciativa atende \u00e0 demanda por maior densidade de pot\u00eancia em chips de IA, buscando manter desempenho est\u00e1vel.<\/p>\n
A empresa mostrou que o HPB cria pilares t\u00e9rmicos que conduzem o calor para um espalhador acima ou ao lado do pacote, diferente da evacua\u00e7\u00e3o direta pelo die central. O foco \u00e9 controlar a temperatura na camada f\u00edsica D2D, crucial para a efici\u00eancia de IA.<\/p>\n
A Samsung j\u00e1 havia validado o HPB na gera\u00e7\u00e3o anterior HBM4E. Amostras de 12 camadas dessa gera\u00e7\u00e3o operavam a 14 Gbps, com escalabilidade prevista para 16 Gbps e largura de banda de 3,6 TB\/s por pilha.<\/p>\n
Enquanto isso, a SK hynix adotou rota distinta ao integrar resfriamento direto no ponto cr\u00edtico. O design iHBM utiliza sil\u00edcio eletricamente n\u00e3o condutor e termicamente condutor na camada PHY D2D, reduzindo a resist\u00eancia t\u00e9rmica em mais de 30%.<\/p>\n
Ambas as abordagens devem estrear junto com a HBM5, cada uma buscando assegurar funcionamento est\u00e1vel em altas velocidades. A SK hynix posiciona o resfriamento no hotspot, enquanto a Samsung cria vias para o calor seguir para o espalhador externo.<\/p>\n
A Samsung controla toda a cadeia, fabricando o die base da HBM5 em seu n\u00f3 interno de 2 nm. A estrat\u00e9gia permite empregar a pilha HBM5 e o die de 2 nm sob o mesmo teto, sem depend\u00eancia externa.<\/p>\n
O presidente e CTO da Divis\u00e3o de Solu\u00e7\u00f5es de Dispositivos da Samsung, Song Jai-hyuk, afirmou que IA mais poderosa exige gest\u00e3o t\u00e9rmica eficaz, efici\u00eancia de processamento e empacotamento est\u00e1vel. A empresa mant\u00e9m planos de ampliar a coopera\u00e7\u00e3o com parceiros, incluindo a NVIDIA.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"